冯宗强1,*,AndrewGodfrey2 ,吴桂林3,黄晓旭1
1重庆大学材料科学与工程学院,重庆, 400044, 中国
2清华大学材料科学与工程学院, 北京, 100084, 中国
3北京科技大学材料基因工程高精尖创新中心, 北京, 100083,中国
详细摘要:位错是品体材料中的典型缺陷, 也是材料组织与性能调控的重要基因。 位错主要特征参数通常包括几何、 晶体学和应变能特性三个方面, 对其进行全要素高通量表征是深刻理解位错在材料相变、形变行为和诸多服役性能中重要作用的基础。 由于投影和重叠效应的影响, 传统透射电镜表征方法难以全面、 同步和精确反映位错的各类几何和品体学特性。 基于透射电镜位错三维重构技术及关联品体学分析方法, 本研究团队开发了位错三维高通鼠表征技术, 可以对位错几何和晶体学特性进行三维定倡集成表征。 利用该技术对铝合金中淬火和形变位铅进行了研究, 揭示了各类典型位错结构的几何特征、 空间组态和晶体学特征, 为进一步理解位错的形成和演化机制提供了新的技术支撑。
关键词:位错;透射电镜;三维重构;
参考文献:
[1] Z. Q. Feng, et al. Curr Opin Solid State Mater Sci, 24 (2020) 100833.
冯宗强,毕业于西北工业大学,现为重庆大学材料科学与工程学院副教授、博士生导师。他长期从事高性能纳米结构金属研究和基于透射电镜的先进三维表征技术研发工作,开发了位错三维高通量表征技术,提出了纳米金属强韧化新途径。在《Nature》、《Acta Mater》等学术期刊上发表论文40余篇主持国家自然科学基金项目 2 项、重庆英才计划项目 1项,参研国家重点研发计划项目 2项。