高通量材料基因方法在光电器件研究中的应用
叶继春
摘要
高通量材料制备是加速新材料发现和优化现有材料与器件的有效方法之一。本报告主要介绍了高通量材料制备方法在光电器件研究中的应用，包括了本课题组在高通量实验平台的建设以及应用多种高通量材料制备方法分别在全无机钙钛矿薄膜材料、硅电池正面银浆无极玻璃粉材料、PEDOT：PSS材料、硅非掺杂异质结电池中的金属氧化物材料、多元超薄金属透明柔性电极以及LED缓冲层材料的高通量制备与筛选应用情况，同时也展望了高通量材料制备方法在光电材料与器件研发方面的应用前景。
DOI: 10.12110/firstfmge.20171121.210
研究员，博士生导师，国家“千人计划”青年项目入选者。2001年本科毕业于中国科技大学，2005年获美国加州大学戴维斯分校材料科学与工程博士学位。毕业后，先后在美国飞索半导体公司（AMD的剥离公司）、加州太阳能公司、阿尔他器件公司担任高级工程师。曾参与研发了当时最为先进的基于ONO的43纳米闪存芯片，参与了效率最高的基于低质硅的高效太阳能电池，参与研发的基于GaAs薄膜太阳能电池不断打破单层电池转换效率的世界纪录。 2012年8月以“团队人才”加入中科院宁波材料所，组建了近40人的科研团队（包括4位国（省）千和8位海归科研人员），从事高效太阳能电池技术、深紫外LED芯片技术、新型光电材料、及高通量材料基因等研究。回国后已在Adv Mater、Nano Lett、ACS Nano、Adv Energ Mater等杂志上发表50余篇论文，申请国内外专利50余项，并与企业开展了广泛的合作。